閃存芯片的工作狀態

工作狀態：

1 按頁讀操作

閃存芯片的默認狀態為讀狀態。讀操作是以通過4個地址周期將00h 地址寫到指令寄存器為開始指令,一旦該指令被鎖存,就不能在下頁中寫入讀操作了。

可以通過寫入隨機數據輸出指令來從一頁中隨機地輸出數據。數據地址可以從將要輸出的數據地址中通過隨機輸出指令自動找到下一個地址。隨機數據輸出操作可以多次使用。

2 頁編程

閃存芯片的編程是按頁進行的, 但它在單頁編程周期中支持多個部分頁編程, 而部分頁的連續字節數為2112。寫入頁編程確認指令(10h) 即可開始編程操作,但寫入指令(10h) 前還必須輸入連續數據。

連續裝載數據在寫入連續數據輸入指令(80h)后,將開始4個周期的地址輸入和數據裝載,而字卻不同于編程的數據, 它不需要裝載。芯片支持在頁中隨機輸入數據,并可根據隨機數據輸入指令(85h)自動變換地址。隨機數據輸入也可以多次使用。伺服鉸牙馬達

3 緩存編程

緩存編程是頁編程的一種, 可以由2112 字節的數據寄存器執行, 并只在一個塊中有效。因為閃存芯片有一頁緩存, 所以當數據寄存器被編入記憶單元中時它便可以執行連續數據輸入。緩存編程只有在未完成的編程周期結束且數據寄存器從緩存中傳數后才能開始。通過R/B腳可以判斷內部編程是否完成。如果系統只用R/B來監控程序的進程,那么,Z后一頁目標程序的次序則必須由當前頁編程指令來安排。

4 存儲單元復錄

該作用可以快速有效地改寫一頁中的數據而不需要訪問外部存儲器。因為消耗在連續訪問和重新裝載上的時間被縮短, 因而系統的執行能力會提高。尤其當塊的一部分被升級而剩下的部分需要復制到新的塊中去時, 它的優勢就明顯顯示出來了。該操作是一個連續執行的讀指令, 但不用連續地到目的地址訪問和復制程序。一個原始頁地址指令為“35h" 的讀操作, 就可以把整個2112字節的數據轉移到內部數據緩沖器中。當芯片返回就緒狀態時,帶有目的地址循環的頁復制數據輸入指令就會寫入。而該操作中的錯誤程序會由“通過/ 失敗”狀態給出。但是,如果該操作的運行時間過長,將會由于數據丟失而引起位操作錯誤,從而導致外部錯誤“檢查/ 糾正”設備檢查失效。由于這個原因, 該操作應使用兩位錯誤糾正。

5 塊擦除

閃存芯片的擦除操作是以塊為基礎進行的。塊地址裝載將從一個塊擦除指令開始, 并在兩個循環內完成。實際上, 當地址線A12～A17 懸空時,只有地址線A18～A28 可用。裝入擦除確認指令和塊地址即可開始擦除。該操作必須按此順序進行, 以免存儲器中的內容受到外部噪聲的影響而出現擦除錯誤。

6 讀狀態

閃存芯片內的狀態寄存器可以確認編程和擦除操作是否成功完成。在寫入指令(70h) 到指令寄存器后, 讀循環會把狀態寄存器的內容在CE或RE 的下降沿輸出到I/O。而在新的指令到達前, 指令寄存器將保持讀狀態, 因此如果狀態寄存器在一個隨機讀循環中處于讀狀態, 那么在讀循環開始前應給出一個讀指令。

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